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韩国芯片制造商 SK 海力士于本周二宣布，将斥资 19 万亿韩元（约合 129 亿美元），在韩国本土兴建一座先进芯片封装厂，以满足人工智能领域持续攀升的存储芯片需求。
该公司在一份声明中表示，新工厂的建设工作将于今年 4 月启动，预计在明年年底前竣工。
SK 海力士指出，全球人工智能领域的竞争日趋激烈，正推动人工智能专用存储芯片的需求激增，这也凸显出公司需主动应对高带宽存储芯片（HBM）需求增长的必要性。
高带宽存储芯片（HBM）是一种动态随机存取存储器（DRAM）标准，于 2013 年首次实现量产。这种技术通过芯片垂直堆叠的方式，实现节省空间与降低功耗的效果，能够助力处理复杂人工智能应用所产生的海量数据。
麦格理证券研究部的数据显示，作为英伟达的主要高带宽存储芯片供应商，SK 海力士在 2025 年的高带宽存储芯片市场中占据主导地位，市占率高达 61%；三星电子与美光科技紧随其后，市占率分别为 19% 与 20%。
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